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型号 IPB083N10N3 G
厂商 Infineon Technologies
描述 MOSFET N-CH 100V 80A TO263-3
IPB083N10N3 G PDF
代理商 IPB083N10N3 G
标准包装 1
系列 OptiMOS™
FET 型 MOSFET N 通道，金属氧化物
FET 特点 标准
漏极至源极电压(Vdss) 100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C 80A
开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C 8.3 毫欧 @ 73A，10V
Id 时的 Vgs(th)（最大） 3.5V @ 75µA
闸电荷(Qg) @ Vgs 55nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds 3980pF @ 50V
功率 - 最大 125W
安装类型 表面贴装
封装/外壳 TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB
供应商设备封装 PG-TO263-2
包装 标准包装
其它名称 IPB083N10N3 GDKR
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